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NOTICIA Samsung presenta el primer 10-nm del mundo

Tema en 'Samsung DuoS' iniciado por truke, 25 Feb 2015.

  1. truke

    truke Simdualero de Platino

    • Veteran@
    13 Ago 2014
    CARTAGENA
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    Los procesadores de Qualcomm han traído mucha innovación al campo de los SoCs móviles. Quizás en las mismas proporciones en las que han inundado el mercado con una uniformidad que ha terminado por aburrir a muchos. Pero el pique está de vuelta y Samsung vuelve a estar dispuesta verse las caras con el fabricante estadounidense.
    Si bien ya esperamos un Galaxy S6 la semana próxima con un procesador adelantado a la época (en 14 nanómetros frente a los 20 nm que acaba de estrenar la competencia), todo parece indicar que en Samsung ya se comienza a hablar del proceso de fabricación en 10 nanómetros.
    Mientras que a la misma Intel, pionera en este apartado, se le ha visto con problemas para cumplir calendarios en su bajada a los 14 nanómetros, parece que en Samsung harían una muy buena jugada llegando antes que toda la competencia.
    Y es que recordemos que la miniaturización del proceso de fabricación trae de la mano no solo mejoras en el rendimiento, sino también reducciones de consumo energético muy notables. Y esto es clave en el futuro de los dispositivos móviles, por no hablar de los wearables y el internet
    www.gforgames.com_wp_content_uploads_2015_02_samsung_logo_2.
    Samsung presenta el primer 10-nm del mundo FinFET Semiconductor Tecnología

    Fuente:http://www.xatakandroid.com/gadgets...tan-de-2015-que-en-samsung-ya-hablan-de-10-nm

    http://www.gforgames.com/gadgets/samsung-unveils-first-10-nm-finfet-46379/
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    http://www.sammobile.com/2015/02/24...process-technology-ahead-of-galaxy-s6-launch/
    Kim Ki-nam, presidente de Samsung Electronics Semiconductores dijo que este será un paso importante en la evolución de la IO (Internet de las cosas), ya que el proceso de fabricación de 10 nm FinFET allana el camino para que muchos más conjuntos de chips de alta eficiencia energética con tamaños disminuido. Además del proceso de fabricación de 10 nm, Kim Ki-nam también habló de 10-nm DRAM y 3D V-NAND tecnología
     
    Última edición por un moderador: 31 Mar 2015
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    • sATELITE

      sATELITE Simdualero de Diamante

      • Veteran@
      29 Abr 2013
      Zaragoza
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      Buena noticia pero hay que puntualizar que Intel tiene, desde hace casi 3 años, los nodos de silicio de 10 y 7 nm para comenzar su fabricación masiva en el segundo trimestre de este año.
      Y no los han sacado antes por pereza, falta de competencia y por poder conseguir mejor rendimiento por watio sin necesidad de reducir microarquitectura.
       
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