NOTICIA El Samsung Galaxy Fold incluye memoria eUFS 3.0: el doble de rápido que los móviles actuales

Ayer fue un gran día para el Samsung Galaxy Fold. Se dejó ver y probar por primera vez desde que se presentó en febrero. Algunos detalles del diseño ya se han revelado finalmente y también otros sobre el hardware interno. Samsung no indicó uno de los detalles más interesantes sobre el nuevo terminal, el protocolo de su memoria interna. El teléfono plegable de Samsung ha sido el primero en contar con un chip de almacenamiento eUFS 3.0. Este chip fue anunciado a principios de año por la compañía y todavía no se había utilizado en ningún terminal. Ni siquiera los Galaxy S10 tienen este tipo de memoria tan rápida.

Samsung prometió velocidades astronómicas para la lectura y escritura de la memoria. Hasta el momento no habíamos visto pruebas de lo que podría llegar hacer este tipo de memoria, algo que ha cambiado con el Galaxy Fold. Este dispositivo no solo es uno de los más caros de Samsung, también es el primero en tener 12 GB de RAM y 512 GB de almacenamiento eUFS 3.0.

El doble de rápido que el almacenamiento de los actuales gama alta



En estos momentos la mayoría de dispositivos de gama alta cuentan con chips de almacenamiento UGS 2.1. Es una memoria rápida y que hace bien su trabajo, pero que está muy por debajo de lo que pueden ofrecer los nuevos chips. Ice Universe ha sido el usuario encargado de anunciar la implantación del chip eUFS 3.0 en el Galaxy Fold. Tras correr un benchmark especializado en medir la velocidad de la memoria se ha percatado de que las velocidades son más altas de lo normal.


Si nos vamos al artículo publicado por Android Police podemos ver que esta nueva memoria es el doble de rápida que la del OnePlus 6T. Tanto en lectura como en escritura tenemos valores muy buenos y que no vemos en ningún otro dispositivo actual. Samsung ha lanzado un dispositivo muy caro, pero sin escatimar en nada cuando hablamos de hardware interno.

Esta nueva memoria es más rápida y permite abrir e instalar aplicaciones mucho más rápido. También transferir archivos, y en general, mejorar todos los procesos que dependen del almacenamiento interno del dispositivo.

Todavía es pronto para especular sobre el futuro de la memoria eUFS 3.0, pues no sabemos el próximo terminal de la compañía que incluirá este tipo de chips. Veremos si Samsung se anima con el Galaxy Note 10.

Fuente | Ice Universe

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