No es ningún secreto que Qualcomm está preparando el sucesor del Snapdragon 835 de este año, que llevará por nombre Snapdragon 845.

Los rumores apuntan a que el Samsung Galaxy S9 podría ser el primer smartphone en llegar con este procesador, de igual forma que el año pasado el Snapdragon 835 debutó con el Galaxy S8.


La noticia es que la empresa estadounidense de semiconductores podría anunciar el Snapdragon 845 en la Cumbre Tecnológica de Snapdragon que tendrá lugar en diciembre.

El evento está programado para el 4-8 de diciembre y se llevará a cabo en Maui, Hawaii, según una invitación publicada en Weibo.

El Snapdragon 835 fue presentado oficialmente en el CES 2017 en enero, por lo que el nuevo modelo parece llegar un mes antes. En cualquier caso, no parece probable que veamos el chip en producción antes de primavera, con la llegada del Galaxy S9.


Los rumores sugieren que el Snapdragon 845 será un chip de ocho núcleos, como el actual Snapdragon 835, con cuatro núcleos ARM Cortex-A75 y cuatro núcleos ARM Cortex-A53. La GPU Adreno 630 de Qualcomm se encargará del procesamiento gráfico, y se espera que ofrezca un rendimiento gráfico significativamente mejor que la Adreno 540.

En lo que respecta a la eficiencia energética, no esperamos ver una mejora significativa. La mayoría de los informes parecen sugerir que el próximo buque insignia de Qualcomm será fabricado por Samsung en el mismo proceso FinFET de 10nm que el Snapdragon 835.

Algunos rumores habían sugerido que veríamos los primeros chips móviles de 7nm a principios del próximo año, pero ahora parece que tendremos que esperar a finales de 2018 o principios de 2019. En términos de conectividad, se rumorea que el Snapdragon 845 llegará con el módem X20 con velocidades de descarga de hasta 1,2 Gbps.

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