UltraRAM alcanza producción masiva: memoria revolucionaria con velocidad DRAM, durabilidad extrema y retención de datos milenaria​

La tecnología UltraRAM, desarrollada por Quinas Technology en colaboración con IQE plc, ha superado un hito crucial en su camino hacia la comercialización. Este nuevo tipo de memoria promete combinar lo mejor de dos mundos: la velocidad de la DRAM y la persistencia de datos del almacenamiento NAND, con características que podrían redefinir el futuro de la informática.

¿Qué hace especial a UltraRAM?​

Los ingenieros han logrado crear una memoria que ofrece:

• Velocidades comparables a la DRAM convencional
• Una durabilidad 4,000 veces superior a la del NAND flash
• Retención de datos durante hasta 1,000 años
• Consumo energético ultra bajo (menos de 1 femtojulio por operación)

El secreto reside en un proceso de epitaxia avanzado que utiliza materiales como el antimoniuro de galio y el antimoniuro de aluminio, permitiendo la creación de estructuras semiconductoras con una precisión sin precedentes.

Del laboratorio a la fábrica​

Tras años de investigación en la Universidad de Lancaster y el desarrollo posterior por parte de Quinas, el proceso de fabricación ha sido finalmente escalado para producción industrial. Jutta Meier, CEO de IQE, destacó que este proyecto representa "una oportunidad única para llevar la próxima generación de materiales semiconductores a la vida en el Reino Unido".

El siguiente paso será establecer colaboraciones con fundiciones para iniciar la producción piloto. Aunque no se han revelado plazos concretos, los expertos anticipan que los primeros chips podrían llegar al mercado en los próximos años.

Potencial disruptivo​

UltraRAM podría resolver uno de los mayores cuellos de botella en computación: la brecha entre memoria volátil (DRAM) y almacenamiento persistente (NAND). Sus aplicaciones potenciales incluyen:

• Sistemas que no requieran reinicialización al encenderse
• Almacenamiento empresarial de ultra alto rendimiento
• Dispositivos IoT con décadas de autonomía
• Infraestructura crítica donde la persistencia de datos es vital

A diferencia de tecnologías anteriores como 3D XPoint (Optane), UltraRAM utiliza un enfoque completamente diferente basado en efectos cuánticos de tunelización resonante, lo que podría evitar los problemas de escalabilidad que afectaron a otras memorias emergentes.